概要
説明
HIP2211は100V、3Aソース、4Aシンクの高周波ハーフブリッジNMOS FETドライバです。HIP2211は標準のHI/LI入力を備え、HIP2101やISL2111などルネサスの一般的なブリッジドライバとピン互換性があります。6V~18Vの広い動作電源範囲とハイサイドブートストラップダイオードの内蔵により、100VハーフブリッジアプリケーションでのハイサイドおよびローサイドNMOSの駆動をサポートします。
この3Aソース、4Aシンクのドライバは高速な15ns(標準)の伝搬遅延と2ns(標準)の遅延マッチングを実現しており、高周波スイッチング・アプリケーションに最適な製品です。VDDとブートUVLOにより低電圧動作の際も保護されます。
HIP2211は、8Ld SOIC、8Ld 4x4mm DFN、10Ld 4x4mm TDFNパッケージで提供されます。
特長
- ISL2111、HIP2101の8Ld SOIC、8Ld DFN、10Ld TDFNパッケージ互換
- 最大電圧115VDCのブートストラップ電源はハーフブリッジの100Vをサポート
- NMOS FET用3Aソース/4Aシンク・ゲート・ドライバ
- 高速伝搬遅延とマッチング:15ns(標準)の遅延、2ns(標準)のマッチング
- 0.5Ω(代表値)のブートストラップ・ダイオードを内蔵
- 広い動作電圧範囲: 6V~18V
- VDDおよびブート時の低電圧ロックアウト(UVLO)
- 堅牢なノイズ耐性:入力での広いヒステリシス、HSピンは最大-10V(連続)までを許容
- HI/LI入力 3.3Vロジック対応(VDD電圧許容範囲内)
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 593 KB | |
カタログ | PDF 13.27 MB English | |
製品変更通知 | PDF 156 KB | |
製品アドバイザリ | PDF 414 KB | |
マニュアル-開発ツール | PDF 1.23 MB | |
マニュアル-開発ツール | PDF 1.09 MB | |
ホワイトペーパー | PDF 295 KB | |
アプリケーションノート | PDF 576 KB | |
8件
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設計・開発
ソフトウェア/ツール
ソフトウェア/ツール
Software title
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Software type
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会社名
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iSim:PEオフラインシミュレーションツール iSim Personal Edition(iSim:PE)は、プロジェクトの早い段階で設計サイクルを速め、プロジェクト初期のリスクを低減し、現在のみならず次世代の設計に耐えうる部品を選定します。
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Simulator | ルネサス |
1件
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ボード&キット
100V, 3A Source, 4A Sink, High-Frequency Half-Bridge NMOS FET Drivers with HI/LI Input (8 Ld SOIC)
The HIP2211EVAL3Z and HIP2211EVAL2Z boards are designed to provide a quick and comprehensive method for evaluating the HIP2211 100V, 3A source, 4A sink, high-frequency half-bridge driver for driving the gates of two N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration. Two N-channel MOSFETs (with...
100V, 3A Source, 4A Sink, High-Frequency Half-Bridge NMOS FET Drivers with HI/LI Input (10 Ld DFN)
The HIP2211EVAL3Z and HIP2211EVAL2Z boards are designed to provide a quick and comprehensive method for evaluating the HIP2211 100V, 3A source, 4A sink, high-frequency half-bridge driver for driving the gates of two N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration. Two N-channel MOSFETs (with...
モデル
ECADモデル
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