3.0kW Inverter GaN Evaluation Platform
The TDINV3000W050B 3.0kW inverter evaluation kit provides an easy way to evaluate the performance advantages of our SuperGaN FETs in various inverter applications, such...
概要
説明
TP65H050G4WS 650V 50mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、GenIVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせて、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。
このTP65H050G4WSは、業界標準の3ピンTO-247パッケージで提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。
特長
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 固有の寿命テスト
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 突入電流能力の向上
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- AC-DCブリッジレストーテムポールPFC設計が可能
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
- GSDピンレイアウトにより高速設計が向上
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
製品比較
アプリケーション
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適用されたフィルター