概要
説明
RJP65T43DPMは650V、20Aのトレンチ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）で、150Aのコレクタピーク電流とスルーホール実装を提供し、TO-3PFMパッケージで提供されま。
特長
- コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.8V（typ.） （IC = 20A、VGE = 15V、Ta = 25°C時）
- 絶縁パッケージ
- トレンチゲートと薄型ウェハ技術（G7Hシリーズ）
- 高速スイッチング tf = 45ns（typ.） （VCC = 400V、VGE = 15V、IC = 20A、Rg = 10Ω、Ta = 25°C、誘導負荷時）
- 動作周波数（20kHz ≤ f ˂ 100kHz）
- 短絡耐量は保証されていない
製品比較
アプリケーション
高速スイッチング
設計・開発
モデル
ECADモデル
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