概要
説明
RBN75H65T1FPQ-A0は650V、75Aのトレンチ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、ファストリカバリダイオード（FRD）を内蔵しており、パワー・スイッチング・アプリケーションに使用できます。TO-247Aパッケージで提供されます。
特長
- トレンチゲートおよび薄型ウェハー技術（G8Hシリーズ）
- 高速リカバリーダイオードを1つのパッケージに内蔵
- 低コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V typ. (IC = 75A、VGE = 15V、Ta = 25 °Cの場合)
- 品質グレード：標準
- 高速スイッチング
- 短絡に対する非特定
製品比較
アプリケーション
- UPS（無停電電源装置）
- 溶接
- 太陽光発電インバータ
- 電力変換システム
設計・開発
モデル
ECADモデル
[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。
製品選択
適用されたフィルター