概要

特長

  • Trench gate and thin wafer technology (G8H series)
  • Built in fast recovery diode in one package
  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 75 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
  • Quality grade: Standard
  • High-Speed switching
  • Non-specification for short circuit
  • Applications: UPS, Welding, photovoltaic inverters, Power converter system

アプリケーション

ドキュメント

タイトル 分類 日付
PDF160 KB
データシート
PDF633 KBEnglish
アプリケーションノート
PDF655 KBEnglish
アプリケーションノート
PDF1.23 MBEnglish
アプリケーションノート
PDF1.16 MBEnglish
アプリケーションノート
PDF5.10 MBEnglish
カタログ
PDF1.92 MB
カタログ
PDF1.32 MB
カタログ

設計・開発

モデル