This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. .

特長

  • Logic level operation (4 V Gate drive).
  • Built-in the over temperature shut-down circuit.
  • High endurance capability against to the short circuit.
  • Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery).
  • Built-in the current limitation circuit.
  • Power supply voltage applies 12 V and 24 V.
  • AEC-Q101 Compliant

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製品名 Part Status Pkg. Type Carrier Type 購入/サンプル
RJF0605JPD-00#J3
Active DPAK(S) Embossed Tape
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RJF0605JPD データシート English データシート PDF 252 KB
ユーザーガイド、マニュアル
弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意 ガイド PDF 596 KB
アプリケーションノート、ホワイトペーパー
パワーMOS FETアプリケーションノート English アプリケーションノート PDF 1.93 MB
PCN / PDN
半導体製品 包装材変更のお願い(一部内容の追加及び修正) English 製品変更通知 PDF 4.87 MB
半導体製品 包装材変更のお願い ( PC-WRP-A001B/J ) English 製品変更通知 PDF 3.82 MB
半導体製品 包装材変更のお願い ( PC-WRP-A001A/J ) English 製品変更通知 PDF 1.91 MB
その他資料
Product Scout Automotive カタログ PDF 3.25 MB
PowerMOSFET & IPD カタログ PDF 2.24 MB
Renesas Semiconductor Lead-Free Packages カタログ PDF 1.32 MB