概要

Description

The RBA160N04AHPF-4UA01 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance
    • RDS(on) = 1.25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80A)
  • Low input capacitance
    • Ciss = 8800pF TYP. (VDS = 25 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)

アプリケーション

ドキュメント

タイトル 分類 日付
PDF413 KB
データシート
PDF2.65 MBEnglish
アプリケーションノート
PDF2.24 MB
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