パッケージ情報
| Pkg. Type | Wafer |
環境及び輸出分類情報
| ECCN (US) | 5A002 |
| Pb (Lead) Free | No |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | |
| HTS (US) |
製品スペック
| Pkg. Type | Wafer |
| Application | Inverter |
| Channels (#) | 1 |
| IC @100 °C (A) | 75 |
| Lead Compliant | Yes |
| MOQ | 1 |
| Nch/Pch | Nch |
| Pb (Lead) Free | No |
| Qualification Level | Industrial |
| Series Name | RBNxxN65T1U Series |
| Tape & Reel | No |
| VCE (sat) (V) | 1.5 |
| VCES (V) | 650 |
説明
ルネサスの第8世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用しました。 前世代のIGBTと比べて高速スイッチング特性を向上し、飽和電圧の低下により導通損失の低減を実現しました。
RBN75N65T1UFWAは650V/75AのIGBT製品で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、パワー・スイッチング・アプリケーションに使用できます。 Unsawn waferで提供されます。