概要
説明
スプリットゲート構造を持つREXFET-1 100V製品は、超低オン抵抗を特長としています。加えて、入力容量、及びゲート電荷を低減し、より効率的なスイッチングを可能にします。この技術により、高速スイッチングと低電力損失を実現できるため、電力効率が向上します。さらに、耐久性と信頼性を向上させ、パワーマネジメントシステム、モータドライブ、DC-DCコンバータなどの車載アプリケーションに適しています。
特長
- 標準レベルのゲート駆動電圧:VGS(th)= 2.0V〜4.0V
- 超低オン抵抗:RDS(on)=0.65mΩ(max)
- 低入力容量
- 車載アプリケーション向けに設計され、AEC-Q101(HTRB、HTGB)認定済み
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 313 KB | |
| 製品別信頼性資料 | PDF 382 KB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 722 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 2.65 MB English | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
7件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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