概要
説明
RenesasのTOLG技術は、TOLLのフットプリントに対応する超小型のガルウィングリード設計を特徴としており、
優れた熱性能、および基板実装上耐温度サイクル性能を提供します。
Renesasの新しいスプリットゲートプロセスは、低RDS(on)および高出力・高周波アプリケーションに適したスイッチング能力を提供します。
特長
- スタンダートレベルゲート駆動電圧: VGS(th) = 2.0～4.0V
- 超低オン抵抗 : RDS(on) = 1.5mΩ Max
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- AEC-Q101 準拠
- PPAP 対応可能
- Pbフリー: RoHS 指令適合
- モイスチャーレベル1 (IPC/JEDEC J-STD-020)
製品比較
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 662 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 653 KB | |
| 製品別信頼性資料 | PDF 379 KB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 722 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 5.44 MB | |
| アプリケーションノート | PDF 2.65 MB English | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
9件
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設計・開発
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ビデオ&トレーニング
100V MOSFETs in TOLL/TOLG for High Current Switching Applications
Renesas 100V MOSFETs with Split Gate Technology deliver industry-leading on-resistance performance while helping to reduce overall system costs.
To learn more, visit the pages for RBA300N10EANS-3UA02 and RBA300N10EHPF-5UA02.
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2025年1月9日
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