概要

説明

NP75N04YLGは大電流スイッチングアプリケーション向けに設計されたNチャネルMOS電界効果トランジスタです。

特長

  • 超低オン抵抗 RDS(on) = 最大4.8mΩ(VGS = -10 V、ID = 38A)RDS(on) = 最大8.3mΩ(VGS = 4.5 V、 ID = 38A)
  • ロジックレベル駆動型
  • ゲート・ソース間ESD保護ダイオード内蔵
  • 車載用に設計され、AEC-Q101認定済み

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 350 KB
ガイド PDF 2.65 MB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 223 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
7 items

設計・開発

モデル