RBN75N65T1UFWA

ルネサスの第8世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用しました。 前世代のIGBTと比べて高速スイッチング特性を向上し、飽和電圧の低下により導通損失の低減を実現しました。

RBN75N65T1UFWAは650V/75AのIGBT製品で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、パワー・スイッチング・アプリケーションに使用できます。 Unsawn waferで提供されます。