RJP1C15DWA

ルネサスのAE4 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。これらのデバイスは、破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化を可能とし、更には、低スイッチングロス化を実現しています。本1200V/200A IGBTは、インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。