RJP1C05JWS

ルネサスの車載用AE4 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。
これらのデバイスは、破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化を可能とし、更には、
低スイッチングロス化を実現しています。本1200V/150A IGBTは、ハイブリッドや電気自動車用の走行インバータなどの
高出力アプリケーション向けに最適化されています。