RBN150N180S2HFWA

ルネサスの第8世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用しました。 前世代のIGBTと比べて高速スイッチング特性を向上し、飽和電圧の低下により導通損失の低減を実現しました。

弊社の1800V - 300A/150A IGBTは、風力発電やソーラーインバータなど、高電力アプリケーションに最適化されています。