概要
説明
The HFA3102 is an all NPN transistor array configured as dual differential amplifiers with tail transistors. Based on Intersil bonded wafer UHF-1 SOI process, this array achieves very high fT (10GHz) while maintaining excellent hFE and VBE matching characteristics over temperature. Collector leakage currents are maintained to under 0. 01nA.
特長
- High Gain-Bandwidth Product (fT) 10GHz
- High Power Gain-Bandwidth Product 5GHz
- High Current Gain (hFE) 70
- Noise Figure (Transistor) 3.5dB
- Low Collector Leakage Current <0.01nA
- Excellent hFE and VBE Matching
- Pin-to-Pin to UPA102G
- Pb-Free Plus Anneal Available (RoHS Compliant)
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モデル
ECADモデル
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