概要
説明
The NP35N04YLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Low on-state resistance RDS(on) = 9.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) RDS(on) = 15 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 17.5 A)
- Logic level drive type
- Gate to Source ESD protection diode built in
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 208 KB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 2.65 MB English | |
| 製品別信頼性資料 | PDF 223 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| カタログ | PDF 2.24 MB | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
7件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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製品選択
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