概要
説明
NP16N06QLK is a dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 39 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) RDS(on)2 = 60 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 4 A)
- Low Ciss: Ciss = 500 pF TYP. (VDS = 25 V)
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
- Small size package 8-pin HSON dual
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 541 KB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 2.65 MB English | |
| 製品別信頼性資料 | PDF 222 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| カタログ | PDF 2.24 MB | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
7件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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