概要

説明

NP16N06QLK is a dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 39 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) RDS(on)2 = 60 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 4 A)
  • Low Ciss: Ciss = 500 pF TYP. (VDS = 25 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Small size package 8-pin HSON dual

アプリケーション

ドキュメント

分類
日付
PDF 541 KB データシート
PDF 2.65 MB 英語 アプリケーションノート
PDF 1.71 MB ガイド
PDF 222 KB 製品別信頼性資料
PDF 2.24 MB カタログ
PDF 596 KB ガイド
6 items

設計・開発

モデル

サポート