概要
説明
The NP100N04MDH, NP100N04NDH, NP100N04PDH are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
特長
- Enhancing Tch(MAX.) to 200°C (Operation time until 250 Hr)
- Super low on-state resistance NP100N04MDH, NP100N04NDH RDS(on)1 = 3.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) RDS(on)2 = 4.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 50 A) NP100N04PDH RDS(on)1 = 2.9 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) RDS(on)2 = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 50 A)
- High avalanche energy, High avalanche current
- Logic level drive Type
- Low input capacitance Ciss = 8700 pF TYP. (VDS = 25 V)
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
ログイン後、ご登録が可能となります。
|
|
|
|
|---|---|---|
| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 355 KB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| カタログ | PDF 2.24 MB | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
5件
|
||
設計・開発
モデル
ECADモデル
SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。
製品選択
適用されたフィルター