概要
説明
RBN75H65T1FPQ-A0は650V、75Aのトレンチ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、ファストリカバリダイオード（FRD）を内蔵しており、パワー・スイッチング・アプリケーションに使用できます。TO-247Aパッケージで提供されます。
特長
- トレンチゲートおよび薄型ウェハー技術（G8Hシリーズ）
- 高速リカバリーダイオードを1つのパッケージに内蔵
- 低コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V typ. (IC = 75A、VGE = 15V、Ta = 25 °Cの場合)
- 品質グレード：標準
- 高速スイッチング
- 短絡に対する非特定
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