100V GaN FET評価ボード付き耐放射線特性ドライバGaNパワーステージ
ISL73033SLHEV1Z評価ボードはISL73033SLH 耐放射線ドライバGaNパワーステージの性能を評価するために用いられます。 ISL73033SLHは4.5Vゲートドライバと100V、7.5mΩエンハンスメントモードの窒化ガリウムFET(eGaN FET)を8mm x 8mmの単一BGAパッケージに統合されています。...
The ISL73033SLHM is a radiation hardened 100V GaN FET with integrated Low-Side GaN FET driver. The GaN FET are capable of providing up to 45A output and have a RDSON as low as 7.5mΩ. The integrated Low-Side GaN FET driver has a supply range from 4.5V to 13.2V and can accept logic levels up to 14.7V, regardless of supply voltage. The ISL73033SLHM has propagation delay of 42ns, enabling high switching frequency for better power conversion efficiency. The ISL73033SLHM is characterized over the full military temperature range from -55°C to +125°C and receives screening similar to QMLV devices. The ISL73033SLHM is offered in a 81 lead Ball Grid Array (BGA) plastic package.
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 467 KB | |
カタログ | PDF 5.02 MB | |
技術概要 | PDF 229 KB | |
レポート | PDF 1.31 MB | |
レポート | PDF 484 KB | |
ホワイトペーパー | PDF 1.49 MB 英語 | |
ホワイトペーパー | PDF 548 KB | |
ホワイトペーパー | PDF 533 KB | |
アプリケーションノート | PDF 338 KB | |
9 items
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ISL73033SLHEV1Z評価ボードはISL73033SLH 耐放射線ドライバGaNパワーステージの性能を評価するために用いられます。 ISL73033SLHは4.5Vゲートドライバと100V、7.5mΩエンハンスメントモードの窒化ガリウムFET(eGaN FET)を8mm x 8mmの単一BGAパッケージに統合されています。...
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ニュース | 2021年7月15日 |