航空宇宙市場では、より効率的なパワーマネジメントソリューションの開発が推進されてきました。 その1つに、GaNを用いたFETによる電力変換があります。 GaN FETは高い電力変換効率を持ち、放射線への耐性が高く、その性質から広バンドギャップ半導体となっています。 高い信頼性の実現と、GaN FET のメリットを最大限に引き出すために、正しいドライバを使用することは非常に重要です。 ドライバの重要な要件: ゲート駆動電圧の十分な制御。高いソース/シンクの電流能力と分割ドライバ出力ステージ。

ルネサスの耐放射線特性をもつ製品ポートフォリオには、電力システムで使用される GaN FET を駆動するローサイド GaN FET ドライバが含まれます。 このドライバには、航空宇宙分野においてGaN FETを確実に駆動させるために、必要なすべての機能が含まれています。

ドキュメント

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
アプリケーションノート、ホワイトペーパー
AN9867: End of Life Derating: A Necessity or Overkill アプリケーションノート PDF 338 KB
急拡大する小型衛星市場「New Space」におけるGaNデバイスの活用 English ホワイトペーパー PDF 1.49 MB
Advantages of Using Gallium NitrideFETs in Satellite Applications ホワイトペーパー PDF 548 KB
その他資料
Intersil Space Products Brochure カタログ PDF 3.14 MB
Intersil Commercial Lab Services カタログ PDF 364 KB

ニュース&各種リソース

分類 日付 昇順で並び替え
Low Dose Rate Acceptance Testing 基本ページ 2020年3月25日
Standard Data Package 基本ページ 2020年3月19日
Rad Hard SMD Test Flow 基本ページ 2020年3月19日
Rad Hard Test Reports 基本ページ 2020年3月19日