近年、宇宙市場は効率性の高いパワーマネジメントソリューションに向けて進んでいます。 その推進力の1つに、パワーステージとしての窒化ガリウム（GaN）FETの使用があります。 GaN FETは高い電力変換効率を持ち、放射線への耐性が高く、その性質から広バンドギャップ半導体となっています。 ルネサスはこれらの電力システムで使用されるGaN FETを効率的に駆動するために、耐放射線特性100V GaN FET + 一体型ローサイドドライバを開発しました。 これらのプラスチックパッケージ化された耐放射線特性GaN FET + ドライバはさまざまなタイプのミッションのDC/DC電源に使用されています。
耐放射線特性プラスチック製GaN FET
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Radiation-Tolerant Plastic-Package ICs Overview
Learn about Intersil's family of radiation-tolerant plastic-package ICs designed to support the emerging field of small satellites that will provide solutions such as high-speed Internet connections to hundreds of millions of users in communities, governments, and businesses worldwide. These ICs deliver rad-tolerance performance at a much lower cost point versus radiation assurance tested Class V (space level) products.
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