概要
説明
R1LV1616HBG-Iシリーズは,1-Mワード x 16ビット構成の16MビットスタティックRAMであり、1ビットエラー訂正対応のECCを内蔵しています。CMOSプロセス技術(6トランジスタメモリセル)を採用し,高密度,高性能,低消費電力を実現しております。したがって,R1LV1616HBG-Iシリーズはバッテリバックアップシステムに最適です。
パッケージの種類は,高密度実装可能な48ボールFBGAが用意されております。
特長
- 3.0V 単一電源:2.7V ~ 3.6V
- アクセス時間:45/55ns(max)
- 消費電力
-動作時:9mW/MHz(typ)
-スタンバイ時:1.5 μW(typ) - 完全なスタティックメモリです。
-クロック,タイミングストローブを必要としません。 - アクセスとサイクル時間が同じです。
- データ入力と出力が共通端子です。
-スリーステート出力 - バッテリバックアップ動作が可能です。
-2CSによるデータ保持動作 - 温度範囲:-40 ~ +85°C
- 1ビットエラー訂正ECC(error checking and correction)内蔵
製品比較
アプリケーション
設計・開発
モデル
ECADモデル
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