概要
説明
本製品はゲートの印加電圧によりDS間のON-OFF制御ができるパワースイッチ用MOS FETです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FETを保護する働きを持っています。
特長
- ロジックレベル (–6 V) 駆動型パワーMOS FETです。
- 過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET保護が可能。
- 負荷短絡に対する耐量が向上しています。
- 過熱遮断方式はラッチ型です。過熱遮断回路動作後は，ゲート電圧0バイアスで復帰します。
- 電流制限回路を内蔵しております。
- 電源電圧12 V適用
- AEC-Q101 Rev-E準拠
ドキュメント
| Document title | Document type
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日付 日付 | |
|---|---|---|---|
| PDF 428 KB 英語 | データシート | ||
| PDF 6.61 MB | カタログ | ||
| PDF 2.24 MB | カタログ | ||
| PDF 1.32 MB | カタログ | ||
| PDF 2.65 MB 英語 | アプリケーションノート | ||
| PDF 633 KB 英語 | アプリケーションノート | ||
| PDF 596 KB | ガイド | ||
| PDF 294 KB | データシート | ||
| PDF 4.87 MB 英語 | 製品変更通知 | ||
| PDF 3.82 MB 英語 | 製品変更通知 | ||
| PDF 1.91 MB 英語 | 製品変更通知 | ||
11 items
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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製品選択
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| MP-3ZP | MP-3ZP | Embossed Tape |
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