概要

Description

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. .

特長

  • Logic level operation (3 V Gate drive).
  • Built-in the over temperature shut-down circuit.
  • High endurance capability against to the short circuit.
  • Hysteresis type shut down operation.
  • High density mounting.
  • Built-in the current limitation circuit.
  • Power supply voltage applies 12 V.
  • AEC-Q101compliant.

ドキュメント

タイトル 分類 日付
PDF316 KB
データシート
PDF2.65 MBEnglish
アプリケーションノート
PDF4.38 MB
カタログ
PDF2.24 MB
カタログ
PDF1.32 MB
カタログ
PDF535 KB
データシート
PDF4.87 MBEnglish
製品変更通知
PDF3.82 MBEnglish
製品変更通知
PDF1.91 MBEnglish
製品変更通知

設計・開発

モデル