概要

説明

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. .

特長

  • For Automotive applications
  • Built-in the over temperature shut-down circuit.
  • High endurance capability against to the short circuit.
  • Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery).
  • Built-in the current limitation circuit.
  • Low on-resistance RDS(on) : 77 mΩ Typ, 90 mΩ Max (VGS = –10 V)
  • High density mounting
  • AEC-Q101 compliant

ドキュメント

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PDF 2.24 MB カタログ
PDF 1.32 MB カタログ
PDF 2.65 MB 英語 アプリケーションノート
PDF 633 KB 英語 アプリケーションノート
PDF 596 KB ガイド
PDF 4.87 MB 英語 製品変更通知
PDF 3.82 MB 英語 製品変更通知
PDF 1.91 MB 英語 製品変更通知
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モデル