特長

  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 200 A, VGE = 15 V, Tc = 25°C)
  • High-Speed Switching
  • Short circuit withstands time (10 μs min.)

descriptionドキュメント

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
star RJP65S08DWA/RJP65S08DWS Datasheet
データシート
PDF 77 KB
パワーMOSFET・IGBT 使用上の注意事項 English
アプリケーションノート
PDF 633 KB
TO-247plus外形について English
アプリケーションノート
PDF 655 KB
IGBTの並列使用について English
アプリケーションノート
PDF 1.23 MB
IGBTアプリケーションノート English
アプリケーションノート
PDF 1.16 MB
アナログIC & ディスクリート カタログ English
カタログ
PDF 6.48 MB
Discrete & Power Devices Brochure
カタログ
PDF 1.92 MB
Renesas Semiconductor Lead-Free Packages
カタログ
PDF 1.32 MB
弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意
ガイド
PDF 596 KB

file_downloadダウンロード