Compared to conventional Silicon power diodes, Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diodes offer improved system efficiency at a higher switching frequency, lower system cost and low noise switching, as well as superior dynamic and thermal performance.
SiC Schottky Barrier Power Discrete Diodes
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ドキュメント＆ダウンロード
| タイトル | 他の言語 | 分類 | 形式 | サイズ | 日付 | |
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| テクニカルアップデート | ||||||
| ガラスダイオード テーピングのつなぎ目に関する件 | English | テクニカルアップデート | 379 KB | |||
| その他資料 | ||||||
| Discrete & Power Devices Brochure | – | カタログ | 3.72 MB | |||
| Diode Precautions for Application Common Item | – | その他資料 | 184 KB | |||
| Diode Variable Capacitance Diodes Common Item | – | その他資料 | 246 KB | |||
| Diode Common Item PIN Diodes | – | その他資料 | 82 KB | |||
パラメトリック検索
| IF (A) | VRM (V) | IR at VR (μA) | Tj (°C) | Elements S: Single D: Double | IFSM (A) | VF (Max) | trr (Typical) (nS) | Application |
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