工作機械や産業用ロボット、各種製造装置に用いられるACサーボは、サーボモータの位置、方向、回転速度、トルクを精確に制御する機器であり、負荷変動に対する高速応答、停止精度向上、低振動を実現するために高速演算、複雑な波形生成／出力、フィードバック制御などが求められます。
また、より高度な制御指令や遠隔操作、同期処理を実行するための通信機能、いわゆる産業ネットワークへの対応も必要です。
ルネサスではこのようなニーズに対応するため、高速リアルタイム処理性能を備え多機能モータ制御タイマやA/Dコンバータ、エンコーダインタフェース、R-INエンジンなど、豊富な周辺機能を内蔵し、ACサーボ制御用マイクロコンピュータに最適なRZ/T1、幅広い製品シリーズを有するRXファミリ、アナログ& パワー製品などを多数ラインアップしております。

ブロック図

マイクロコンピュータ

ブロック 推奨品名 特長他
制御用MCU RZ/T1
  • 動作周波数 (MHz) : 600/450/300
  • 動作電圧 (V) : 3.3(I/O), 1.2(Core)
  • 搭載メモリ (max.) : 密集合メモリ 512KB+32KB, 拡張1Mbyte RAM
  • 密結合メモリによる高速リアルタイム制御
  • R-INエンジン内蔵による高速・低消費電力通信
  • エンコーダI/F搭載による外部FPGA 機能の取り込み
RX72M
  • 動作周波数 (MHz) : 240
  • 動作電圧 (V) : 3.3
  • 搭載メモリ (max.) : 4MB Flash, 1MB RAM, 32KB Data Flash
  • EtherCAT slave Controller 搭載により通信とモータ制御を１chipで実現
RX72N
  • 動作周波数 (MHz)：240
  • 動作電圧 (V)：2.7 to 3.6
  • 搭載メモリ (max.)：4MB Flash, 1MB RAM, 32KB Data Flash
  • 120MHzでの読み出し動作が可能な4MBのフラッシュメモリ、1MBのSRAM、182本もの汎用入出力ポートにより、機器のリアルタイム制御とネットワーク機能をシングルチップで実現
RX72T
  • 動作周波数 (MHz) : 200
  • 動作電圧 (V) : 2.7 to 5.5
  • 搭載メモリ (max.) : 1MB Flash, 128KB RAM, 32KB Data Flash
  • RX66Tの高性能版：200MHz化、RXv3レジスタ一括退避機能、三角関数演算器搭載
RX66T
  • 動作周波数 (MHz) : 160
  • 動作電圧 (V) : 2.7 to 5.5
  • 搭載メモリ (max.) : 512KB Flash, 128KB RAM, 32KB Data Flash
  • 高性能RXv3コアと多様なモータ制御機能を搭載
RA6T1
  • 動作周波数 (MHz)：120
  • 動作電圧 (V)：2.7 to 3.6
  • 搭載メモリ (max.)：512KB Flash, 64KB RAM, 8KB Data Flash
  • Arm®Cortex®-M4コアと多様なモータ制御機能を搭載
表示用MCU RX651, RX65N
  • 動作周波数 (MHz) : 120
  • 動作電圧 (V) : 3.3
  • 搭載メモリ (max.) : 1MB Flash, 256KB RAM
  • 高性能かつ低消費電力、コネクティビティ強化や暗号機能搭載でさまざまな
    ニーズに対応可能
RA6M3
  • 動作周波数 (MHz)：120
  • 動作電圧 (V)：2.7 to 3.6
  • 搭載メモリ (max.)：2MB Flash, 640KB RAM, 64KB Data Flash
  • Arm®Cortex®-M4コアを採用し、TFTコントローラと2Dアクセラレータ、JPEGデコーダを提供
  • FreeRTOSをベースとしたフレキシブルソフトウェアパッケージ(FSP)は、他のRTOSやミドルウェアにも拡張可能
RX113
  • 動作周波数 (MHz) : 32
  • 動作電圧 (V) : 3.3
  • 搭載メモリ (max.) : 512KB Flash, 64KB RAM, 8KB Data Flash
  • タッチセンサやLCDC により多彩なユーザインタフェースを実現

メモリ

ブロック 推奨品名 特長他
SRAM RMLV0408Eシリーズ
RMLV0414Eシリーズ
RMLV0416Eシリーズ
  • メモリ容量 : 4M bits
  • アクセス時間 (Max.) : 45ns
  • 待機時電流 (Typ.) : 0.4μA
  • 当社独自メモリセル技術により、Full CMOS型メモリセルに比 べ500倍以上ソフトエラーに強いため、極めて高い信頼性が 要求される産業分野に最適。
RMLV0808Bシリーズ
RMLV0816Bシリーズ
  • メモリ容量 : 8M bits
  • アクセス時間 (Max.) : 45ns
  • 待機時電流 (Typ.) : 0.4μA
  • 当社独自メモリセル技術により、Full CMOS型メモリセルに比 べ500倍以上ソフトエラーに強いため、極めて高い信頼性が 要求される産業分野に最適。
RMLV1616Aシリーズ
  • メモリ容量 : 16M bits
  • アクセス時間 (Max.) : 55ns
  • 待機時電流 (Typ.) : 0.5μA
  • 当社独自メモリセル技術により、Full CMOS型メモリセルに比 べ500倍以上ソフトエラーに強いため、極めて高い信頼性が 要求される産業分野に最適。
RMWV3216Aシリーズ
(2チップMCP)
  • メモリ容量 : 32M bits
  • アクセス時間 (Max.) : 55ns
  • 待機時電流 (Typ.) : 1.0μA
  • 当社独自メモリセル技術により、Full CMOS型メモリセルに比 べ500倍以上ソフトエラーに強いため、極めて高い信頼性が 要求される産業分野に最適。
RMWV6416Aシリーズ
(2チップMCP)
  • メモリ容量：64M bits
  • アクセス時間 (Max.)：55ns
  • 待機時電流 (Typ.)：1.2μA
  • 当社独自メモリセル技術により、Full CMOS型メモリセルに比べ500倍以上ソフトエラーに強いため、極めて高い信頼性が要求される産業分野に最適

アナログ、パワー製品

ブロック 推奨品名 特長他
DC/DC RAA230152
RAA230153
  • 主なスペック :
    入力電圧範囲: 7 to 28V
    出力電圧: 0.8 to 6V
    最大出力電流: 3A
    Auto Auto PFM（軽負荷高効率）モード
  • 当社MCUとのキット提案による電源設計簡略化により TAT短縮が可能
RAA230231
  • 主なスペック :
    入力電圧範囲: 4.5 to 16V
    出力電圧: 0.8 to 6V
    最大出力電流: 3A
    Auto Auto PFM（軽負荷高効率）モード
    Dual ch DC/DC
  • 当社MCUとのキット提案による電源設計簡略化により TAT短縮が可能
RAA212422
  • 主なスペック :
    デュアルチャネル同期整流式降圧レギュレータ
    CH1:入力電圧: 3 to 40V, 出力電流:1.1A
    CH2:入力電圧: 2.7 to 5.5V, 出力電流: 1.5A
  • RoHS準拠の小型3㎜x6㎜TDFNプラスチックパッケージ
  • 当社MCUとのキット提案による電源設計簡略化によりTAT短縮が可能
アイソレーションアンプ PS8352A
PS9352A
  • 主なスペック :
    精度1%アナログ出力SDIPパッケージ
    精度1%デジタル出力SDIPパッケージ
  • 110℃までの高温動作可能
IGBT/IPM駆動用 フォトカプラ PS9402/PS9031
PS9009/PS9905
  • 主なスペック :
    IGBT保護回路付き/2.5A出力小型パッケージ
    IPM駆動/690V絶縁
  • 採用されるIGBTに合わせ幅広い機能選択が可能
高速通信フォトカプラ
汎用(Tr出力)フォトカプラ		 PS9001
  • 主なスペック :
    10Mbps小型高耐圧
    690V絶縁
    小型高温対応
  • 小型高耐圧でシステムの小型化に最適
PS8902/PS9924
PS2381