ルネサスの耐放射線製品ポートフォリオには、衛星その他過酷環境下での利用時に必要なGaN FET製品があります。 GaN は優れた導電性とスイッチング特性を有するため、システム上における電源ロスを抑制できます。

ドキュメント

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
アプリケーションノート、ホワイトペーパー
R34AN0001EU: GaN FET Current Increase Due to Heavy Ion Testing アプリケーションノート PDF 178 KB
AN9867: End of Life Derating: A Necessity or Overkill アプリケーションノート PDF 338 KB
急拡大する小型衛星市場「New Space」におけるGaNデバイスの活用 English ホワイトペーパー PDF 1.49 MB
Advantages of Using Gallium NitrideFETs in Satellite Applications ホワイトペーパー PDF 548 KB
その他資料
Intersil Space Products Brochure カタログ PDF 3.14 MB
Intersil Commercial Lab Services カタログ PDF 364 KB

ニュース&各種リソース

分類 日付 昇順で並び替え
Low Dose Rate Acceptance Testing 基本ページ 2020年3月25日
Standard Data Package 基本ページ 2020年3月19日
Rad Hard SMD Test Flow 基本ページ 2020年3月19日
Rad Hard Test Reports 基本ページ 2020年3月19日