航空宇宙市場では、より効率的なパワーマネジメントソリューションの開発が推進されてきました。 その1つに、GaNを用いたFETによる電力変換があります。 GaN FETは高い電力変換効率を持ち、放射線への耐性が高く、その性質から広バンドギャップ半導体となっています。 高い信頼性の実現と、GaN FET のメリットを最大限に引き出すために、正しいドライバを使用することは非常に重要です。 ドライバの重要な要件: ゲート駆動電圧の十分な制御。高いソース/シンクの電流能力と分割ドライバ出力ステージ。

ルネサスの耐放射線特性をもつ製品ポートフォリオには、電力システムで使用される GaN FET を駆動するローサイド GaN FET ドライバが含まれます。 このドライバには、航空宇宙分野においてGaN FETを確実に駆動させるために、必要なすべての機能が含まれています。