概要

本製品はゲートの印加電圧によりDS間のON-OFF制御ができるパワースイッチ用MOS FETです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FETを保護する働きを持っています。

  • ロジックレベル (–6 V) 駆動型パワーMOS FETです。
  • 過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET保護が可能。
  • 負荷短絡に対する耐量が向上しています。
  • 過熱遮断方式はラッチ型です。過熱遮断回路動作後は，ゲート電圧0バイアスで復帰します。
  • 電流制限回路を内蔵しております。
  • 電源電圧12 V適用
  • AEC-Q101 Rev-E準拠

ドキュメント

設計・開発

ECADモデル

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製品選択

    Processing table
    Pkg. Type
    Standard Pkg. Type
    Carrier Type
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    ご購入 / サンプル
    型名
    RJE0625JPV-00#Q7
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		MP-3ZP MP-3ZP Embossed Tape 1
    Parametric Table tips

    Tips for Using This Parametric Table:

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