This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. .

特長

  • Logic level operation (4 V Gate drive).
  • Built-in the over temperature shut-down circuit.
  • High endurance capability against to the short circuit.
  • Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery).
  • Built-in the current limitation circuit.
  • Power supply voltage applies 12 V and 24 V.
  • AEC-Q101 Compliant

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製品名 Part Status Pkg. Type Carrier Type 購入/サンプル
RJF0605JPD-00#J3
Not Recommended for New Designs DPAK(S) Embossed Tape
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RJF0605JPD データシート English データシート PDF 252 KB
ユーザーガイド、マニュアル
弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意 ガイド PDF 596 KB
アプリケーションノート、ホワイトペーパー
パワーMOS FETアプリケーションノート English アプリケーションノート PDF 1.93 MB
PCN / PDN
半導体製品 包装材変更のお願い(一部内容の追加及び修正) English 製品変更通知 PDF 4.87 MB
半導体製品 包装材変更のお願い English 製品変更通知 PDF 3.82 MB
半導体製品 包装材変更のお願い English 製品変更通知 PDF 1.91 MB
その他資料
Product Scout Automotive カタログ PDF 3.25 MB
PowerMOSFET & IPD カタログ PDF 2.24 MB
Renesas Semiconductor Lead-Free Packages カタログ PDF 1.32 MB