概要

説明

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A)
  • Low Ciss: Ciss = 4000 pF TYP. (VDS = 25 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 263 KB
ガイド PDF 1.71 MB
製品別信頼性資料 PDF 220 KB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
5 items

設計・開発

モデル