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近年、宇宙市場は効率性の高いパワーマネジメントソリューションに向けて進んでいます。 その推進力の1つに、窒化ガリウム(GaN)FETの使用があります。 GaN FETは高い電力変換効率を持ち、放射線への耐性が高く、その性質から広バンドギャップ半導体となっています。 ルネサスは、それらの電源システムでGaN FETが効率的に使用される、耐放射線ローサイドGaN FETドライバを開発してきました。 このプラスチックパッケージの耐放射線GaN FETドライバは、小型衛星(SmallSat)や打ち上げロケットでのDC/DC電源に使用されます。
Input Voltage (Min) (V) |
Input Voltage (Max) (V) |
Gate Drive (V) |
UVLO Rising (V) |
UVLO Falling (V) |
VIH (V) |
VIL (V) |
RONP (Ohms) (Ohms) |
RONN (Ohms) (Ohms) |
Low Dose Rate (LDR) (krad (Si)) |
DSEE (SEL, SEB, etc.) (MeV*cm2/mg) |
Lead Count (#) |
Pkg. Type |
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型名 | |||||||||||||
Radiation Tolerant Low-Side GaN FET Driver | 4.5 | 13.2 | 4.5 | 3.98 | 3.74 | 1.7 | 1.4 | 2.2 | 0.5 | 30 | 43 | 8 | TDFN |
Radiation Tolerant 12V Half-Bridge GaN FET Driver | 4.75 | 13.2 | 5.5 | 4.6 | 4.55 | 1.8 | 1.5 | 50 | 43 | 20 | QFN |
Document title | Document type 分類 | 日付 日付 |
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PDF 4.85 MB | カタログ | |
PDF 1.49 MB 英語 | ホワイトペーパー | |
PDF 405 KB | ホワイトペーパー | |
PDF 338 KB | アプリケーションノート | |
4 items
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Learn about Intersil's family of radiation-tolerant plastic-package ICs designed to support the emerging field of small satellites that will provide solutions such as high-speed Internet connections to hundreds of millions of users in communities, governments, and businesses worldwide. These ICs deliver rad-tolerance performance at a much lower cost point versus radiation assurance tested Class V (space level) products.
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ルネサス、AMDの宇宙用VersalアダプティブSoC向けにパワーマネジメントICのリファレンスデザインパックを提供開始 | ニュース | 2023年7月19日 |