概要

ISL73033SLHEV1Z評価ボードはISL73033SLH 耐放射線ドライバGaNパワーステージの性能を評価するために用いられます。 ISL73033SLHは4.5Vゲートドライバと100V、7.5mΩエンハンスメントモードの窒化ガリウムFET（eGaN FET）を8mm x 8mmの単一BGAパッケージに統合されています。 このデバイスはドライバとGaN FETを1つのパッケージに統合することによりプリント基板（PCB）レイアウトを簡素化し、強化と絶縁型DC/DCコンバータトポロジのために設計されています。 このドライバは4.5Vから13.2Vの供給電圧で動作し、反転と非反転の論理ドライブの要件を満たすために、1つのデバイスで反転（INB）入力と非反転（IN）入力 の両方があります。

ISL73003SLHEV1Z評価ボードは、3つのオンボード2512サイズの220mΩレジスタが並列（73.3mΩ）に接続され、共通ソース オープンドレイン100V 電流検知ロードスイッチとして構成されます。

ISL73033SLHEV1Z Evaluation Board
ISL73033SLHEV1Z Evaluation Board
  • 生産テストと認証は標準AS6294/1に従います。
  • 4.5Vゲートドライバ内蔵の100V、7.5mΩ eGaN FET
  • 4.5V～13.2Vの広いドライババイアス範囲
  • 最大16.5Vまでの論理入力（VDDレベルにかかわりなく）
    • 反転入力と非反転入力
  • エンハンスメントモードGaN FETのために最適化された内蔵ドライバ
    • 内部4.5V調整型ゲート駆動電圧
  • 完全な軍事用の温度範囲で動作
    • TA = -55 °C～+125 °C
    • TJ = -55 °C～+150 °C
  • 放射線耐性保証（ロットごと）
    • 低線量率（0.01rad(Si)/s）：75krad(Si)
  • ドライバのSEE硬度（SEEテストレポート参照）
    • SEB/L LET THなし、VDD = 16.5V：86MeV•cm 2/mg
    • SET、LET THなし、VDD = 13.2V：86MeV•cm 2/mg
  • GaN FETのSEE硬度（SEEテストレポート参照）
    • SEB/L LET THなし、V DS = 100V：86MeV•cm 2/mg

アプリケーション

  • フライバックコンバータとフォワードコンバータ
  • 昇圧型コンバータとPFCコンバータ
  • セカンダリ同期FETドライバ

ドキュメント

= ピックアップ
分類 タイトル 日時
マニュアル－開発ツール
ISL73033SLHEV1Z User Manual
PDF 838 KB
データシート
ISL73033SLHM Datasheet
PDF 467 KB
2 items

設計・開発

ソフトウェアダウンロード
分類 タイトル 日時
PCB設計ファイル
ISL73033SLHEV1Z Design Files
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    ISL73033SLHEV1Z
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