AC/DC RapidCharge™ソリューションの業界リーダーであるルネサスは、他のどのサプライヤよりも多くの急速充電プロトコルをサポートしています。

特許取得済みのゼロ電圧スイッチング(ZVS)技術は、革新的なデジタルアプローチにより、ラップトップ、モニター、スマートフォン、電動工具、その他のポータブル製品向けに、既存のブリックアダプタよりも30%以上小さいながら、65W以上に対応する充電器を実現します。 詳しくは、 ゼロ電圧スイッチング(ZVS)を使用して半分のサイズで100W 以上に対応する充電器のページをご覧ください。

ルネサスのAC/DCコントローラはすべてハードワイヤード・ステートマシンであるため、これを用いて開発された急速充電器のハッキングができません。 詳細については、"RapidCharge™ Controllers Prevent Fast Charger Hacking" (急速充電器のハッキングを防止するRapidCharge™コントローラ)ブログをご覧ください。

ルネサスのテクノロジ・リーダーシップは、開発者にゼロスタンバイ電力が63W、100W+のFETおよびGaN RapidCharge™ソリューションを提供します。

 

製品

 RapidCharge™ プロトコルサポート  
プライマリセカンダリ同期整流器(効率90%以上)プライマリドライバタイプQualcomm® Quick Charge™ダイレクトチャージUSBパワーデリバリ(1)出力パワー(2)無負荷のスタンバイ電力出力電圧VBUS スイッチドライバ(3)スイッチング制御DLNK(4)
XM-Comm(5)
その他の機能
iW1780HiW636iW673FETQC 2.0
QC 3.0
  36W< 10mW3.6V to 12V 擬似共振DLNK
  • D+/D-過電圧保護 (iW636)
  • 高感度タッチパネルの周波数スペクトルを予測可能なSmartGrouping制御
  • iW1796+iW662によるBOMコストの低減と性能の向上をご覧ください。
iW1781iW657PiW676FETQC 2.0
QC 3.0
QC 4+
45W< 20mW3.3V to 21V 擬似共振DLNK
iW1782iW636iW673FETQC 2.0
QC 3.0
  36W< 10mW3.6V to 12V 擬似共振DLNK
  • D+/D-過電圧保護 (iW636)
  • iW1796+iW662によるBOMコストの低減と性能の向上についてご覧ください。
iW1790iW662統合 (iW662)FETQC 2.0
QC 3.0
  27W< 20mW3V to 12V 擬似共振XM-Comm
  • D+/D-過電圧保護 (iW662)
  • iW1796+iW662によるBOMコストの低減と性能の向上についてご覧ください。
iW1791iW657PiW676FETQC 2.0
QC 3.0
QC 4+
27W< 20mW3.3V to 21V擬似共振DLNK
iW1796iW662統合 (iW662)FETQC 2.0
QC 3.0
  27W< 20mW3V to 12V 擬似共振XM-Comm
  • D+/D-過電圧保護 (iW662)
iW1797iW657PiW676FETQC 2.0
QC 3.0
QC 4+
27W< 20mW3.3V to 21V擬似共振DLNK
  • D+/D-/CC1/CC2過電圧保護
  • 電流センス内蔵 (iW657P)
iW1798iW662統合 (iW662)FETQC 2.0
QC 3.0
  45W< 20mW3.6V to 12V 擬似共振XM-Comm
  • D+/D-過電圧保護 (iW662)
iW1799iW657PiW676FETQC 2.0
QC 3.0
QC 4+
65W< 20mW3.3V to 21V擬似共振DLNK
  • D+/D-/CC1/CC2過電圧保護
  • 外部シャットダウン VIN OVP またはXキャップ放電
  • 電流センス内蔵 (iW657P)
iW9801iW709統合 (iW709)FETQC 2.0
QC 3.0
QC 4+
100W< 20mW3.3V to 21VZVS(6)+
擬似共振
 
  • D+/D-過電圧保護 (iW709)
  • ルネサス、特許取得のZVS(6) テクノロジにより、高レベルの電力密度と低EMIを実現 (iW9801)
  • SSR(7) デジタル補正でループコンポーネントを排除し、安定性を確保
  • マルチモードコントロール(MMC)が効率を改善し、可聴ノイズを除去
iW9802TL431iW610FETユーザ定義インターフェース100W+ユーザプログラマブル ZVS(6)+
擬似共振
 
  • ルネサス、特許取得の ZVS(6) テクノロジにより、高レベルの電力密度と低EMIを実現 (iW9802)
  • SSR(7) 用業界標準プログラマブルリファレンス(TL431)に対応
  • ZVS (iW610) 用に最適化されたSRコントローラ
iW9809iW709統合 (iW709)FETQC 2.0
QC 3.0
QC 4+
65W< 20mW3.3V to 21V擬似共振 
  • 高性能、デジタル擬似共振(QR)CCM/DCMフライバック技術
  • SSR(7) デジタル補正でループコンポーネントを排除し、安定性を確保 (iW709)
iW9860iW760統合 (iW760)FET 63W< 5mW3.4V to 21V擬似共振 
  • スタンバイ電力ゼロのコントローラ
  • 両極性補助巻線センサ - EMIを改善し、トランス開発を簡素化
  • SSR(7) デジタル補正でループコンポーネントを排除し、安定性を確保 (iW760)
iW9860iW765統合 (iW765)FET 100W+< 5mW3.4V to 21V擬似共振 
  • スタンバイ電力ゼロのコントローラ
  • 両極性補助巻線センサ - EMIを改善し、トランス開発を簡素化
  • SSR(7) デジタル補正でループコンポーネントを排除し、安定性を確保 (iW765)
iW9861iW760統合 (iW760)FET 63W< 20mW3.4V to 21V擬似共振 
  • 両極性補助巻線センサ - EMIを改善し、トランス開発を簡素化
  • SSR(7) デジタル補正でループコンポーネントを排除し、安定性を確保 (iW760)
iW9870iW760統合 (iW760)GaN 63W< 5mW3.4V to 21V擬似共振 
  • GaNパワーデバイスに最適化
  • スタンバイ電力ゼロのコントローラ
  • 両極性補助巻線センサ - EMIを改善し、トランス開発を簡素化
  • SSR(7) デジタル補正でループコンポーネントを排除し、安定性を確保 (iW760)
iW9870iW765統合 (iW765)GaN 100W+< 5mW3.4V to 21V擬似共振 
  • GaNパワーデバイスに最適化
  • スタンバイ電力ゼロのコントローラ
  • 両極性補助巻線センサ - EMIを改善し、トランス開発を簡素化
  • SSR(7) デジタル補正でループコンポーネントを排除し、安定性を確保 (iW765)

注記

すべてのプライマリIC(iW17xxおよびiW98xx)は、高度なケーブル障害保護機能を備えています。

  1. USB-IF PD認証(USB PD 3.0 + PPS): iW709, iW657P, iW760
  2. 最大出力はアプリケーションに依存
  3. VBUS スイッチドライバ:外部NチャネルMOSFETを駆動する統合チャージポンプにより、 VBUS を出力短絡の損傷から保護し、Pチャネルよりも低コストで容易なソース供給を可能にします。
  4. DLNKはオプトカプラを介したセカンダリからプライマリへのデジタル通信です。
  5. XM-Commはルネサス独自の主電源トランスを介したデジタル通信で、オプトカプラが不要です。
  6. ZVS: ゼロ電圧スイッチング・フライバック技術
  7. SSR: セカンダリレギュレーション

ドキュメント

分類 タイトル 日付
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カタログ PDF 48.38 MB
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