概要

説明

SLG59H1313Cは、23mΩという低いRDSON内蔵nFETを備え、2.5Vdcから5.5Vdcの低 電圧動作システムを29Vdcまでの電圧異常から保護します。 また、クランプ回路を内蔵し、最大100Vのサージ電圧から下流部品を保護します。 SLG59H1313Cは、入力電圧がOVPスレッショルドを超えると内蔵 nFETをオフにする高速な過 電圧応答時間50ns(標準値)を特長としています。 OVPスレッショルドは、オプションの外付け抵抗で4V~20Vの任意の電圧に調整できます。 過熱 保護機能は、145 °C(標準値)でデバイスの電源を切ります。 また、SLG59H1313Cは、電流が7A(標準値)を超えるとスイッチが切れる過 電流保護機能を搭載しており、デバイスの過熱をさらに防止します。 SLG59H1313Cはオープンドレイン出力のPGピンを内蔵しています。VIN_min < VIN < VOVLOでスイッチがオンの場合、PGはローで駆動となり、良好な電源入力を示しますが、そうでない場合はハイインピーダンスとなります。

特長

  • PF2280/MAX14699へのピンツーピンの改善
  • >100 V耐性TVS(IEC61000-4-5)
  • 最大VINDC定格:29V
  • 高性能 nFET: 23m Ω / 4.5A
  • 固定VIN低電圧ロックアウト
  • 抵抗調整可能なVIN過電圧ロックアウト[または固定デフォルト6.5V(OVLO = GND)]
  • 高速OVP応答速度: 50 ns
  • 過電流保護:  7 A
  • 加熱保護
  • オンオフ制御:アクティブロー

製品比較

アプリケーション

アプリケーション

  • ウェアラブルデバイス
  • タブレットPCとスマートフォン

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 1.29 MB
ガイド PDF 3.47 MB
概要 PDF 5.26 MB
アプリケーションノート PDF 911 KB
アプリケーションノート PDF 1.07 MB
5 items

設計・開発

ボード&キット

ボード&キット

モデル