特長

  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 200 A, VGE = 15 V, Tc = 25°C)
  • High-Speed Switching
  • Short circuit withstands time (10 μs min.)

descriptionドキュメント

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
star RJP65S08DWA/RJP65S08DWS Datasheet データシート PDF 77 KB
弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意 ガイド PDF 596 KB
パワーMOSFET・IGBT 使用上の注意事項 English アプリケーションノート PDF 633 KB
TO-247plus外形について English アプリケーションノート PDF 655 KB
IGBTの並列使用について English アプリケーションノート PDF 1.23 MB
IGBTアプリケーションノート English アプリケーションノート PDF 1.16 MB
Discrete & Power Devices Brochure カタログ PDF 1.92 MB
アナログIC & ディスクリート カタログ English カタログ PDF 6.48 MB
Renesas Semiconductor Lead-Free Packages カタログ PDF 1.32 MB

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