概要

説明

The RJP1CS05DWS 1250V, 75A insulated-gate bipolar transistor (IGBT) offers a low collector to emitter saturation voltage and can be used for inverter applications. It is available in a Sawn wafer package type.

特長

  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8V typ. (at IC = 75A, VGE = 15V, Tc = 25 °C)
  • High-Speed switching
  • Short circuit withstands time (10μs min.)

製品比較

アプリケーション

アプリケーション

  • Inverters

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 109 KB
アプリケーションノート PDF 1.28 MB 英語
カタログ PDF 5.40 MB 英語
カタログ PDF 1.92 MB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
アプリケーションノート PDF 655 KB 英語
アプリケーションノート PDF 1.23 MB 英語
アプリケーションノート PDF 1.16 MB 英語
ガイド PDF 596 KB
カタログ PDF 1.32 MB
10 items

設計・開発

モデル