概要

特長

  • Trench gate and thin wafer technology (G8H series)
  • Built in fast recovery diode in one package
  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 75 A, VGE = 15 V, Ta = 25 °C)
  • Quality grade: Standard
  • High-Speed switching
  • Short circuit withstands time (10 µs min.)
  • Applications: UPS, Welding, photovoltaic inverters, Power converter system

ドキュメント

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アプリケーションノート
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アプリケーションノート
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アプリケーションノート
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アプリケーションノート
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カタログ
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カタログ
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カタログ

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