ゲートの印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチ用MOS FETです。構造はパワーMOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。
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Pkg. Type |
Standard Pkg. Type |
Price (USD) | 1ku |
ご購入 / サンプル |
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型名 | ||||
SOP | SOP-8 / SOIC-8 | 1.114 | サンプルを入手, |