概要

説明

The NP90N04MUH, NP90N04NUH, NP90N04PUH are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Enhancing Tch(MAX.) to 200°C (Operation time until 250 Hr)
  • Super low on-state resistance NP90N04MUH, NP90N04NUH RDS(on) = 4.1 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) NP90N04PUH RDS(on) = 3.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A)
  • High avalanche energy, High avalanche current
  • Low input capacitance Ciss = 5500 pF TYP. (VDS = 25 V)

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 353 KB
ガイド PDF 1.71 MB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
4 items

設計・開発

モデル