概要

説明

The NP90N04MDH, NP90N04NDH, NP90N04PDH are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Enhancing Tch(MAX.) to 200°C (Operation time until 250 Hr)
  • Super low on-state resistance NP90N04MDH, NP90N04NDH RDS(on)1 = 3.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 6.4 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 45 A) NP90N04PDH RDS(on)1 = 3.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 45 A)
  • High avalanche energy, High avalanche current
  • Logic level drive Type
  • Low input capacitance Ciss = 7500 pF TYP. (VDS = 25 V)

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 355 KB
ガイド PDF 1.71 MB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
4 items

設計・開発

モデル