概要

説明

These products are N-Channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Channel temperature 175 degree rated
  • Super low on-state resistance RDS(on) = 19 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17 A)
  • Low Ciss : Ciss = 1600 pF TYP.
  • Built-in gate protection diode

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 288 KB
ガイド PDF 1.71 MB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
4 items

設計・開発

モデル