概要

説明

The NP100N055MUH, NP100N055NUH, NP100N055PUH are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Enhancing Tch(MAX.) to 200°C (Operation time until 250 Hr)
  • Super low on-state resistance NP100N055MUH, NP100N055NUH RDS(on) = 4.9 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) NP100N055PUH RDS(on) = 4.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)
  • High avalanche energy, High avalanche current
  • Low input capacitance Ciss = 7000 pF TYP. (VDS = 25 V)

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 430 KB
ガイド PDF 1.71 MB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
4 items

設計・開発

モデル