概要

説明

Support is limited to customers who have already adopted these products.

The 2SJ673 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 20 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 31 mΩ MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −18 A)
  • Low Ciss: Ciss = 4600 pF TYP.
  • Built-in gate protection diode

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 282 KB
ガイド PDF 1.71 MB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
4 items

設計・開発

モデル