概要

説明

NP15P04SLGは大電流スイッチングアプリケーション向けに設計されたPチャネルMOS電界効果トランジスタです。

特長

  • 超低オン抵抗 RDS(on)1 = 最大40 mΩ(VGS = -10 V, ID = -7.5 A)RDS(on)2 = 最大60 mΩ(VGS = -4.5 V, ID = -7.5 A)
  • 低入力容量 Ciss = 1100 pF (標準)
  • ゲート保護ダイオード内蔵

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.41 MB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
ガイド PDF 1.71 MB
製品別信頼性資料 PDF 224 KB
マニュアル-開発ツール ZIP 1 KB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
7 items

設計・開発

モデル