概要

説明

PS8551AL4 は,入力側に高精度な⊿ΣA/D 変換回路を備えた IC と高速応答かつ高発光効率の GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側に高精度な D/A 変換回路を備えた IC を用いた光結合型アイソレーション・アンプです。
高耐ノイズ(高 CMTI)に加え,高い直線性(ノン・リニアリティ)を持つので,電流検出や電圧検出用途に最適です。

特長

  • ノン・リニアリティ(NL200 = 0.35% MAX.)
  • 瞬時同相除去電圧が高い(CMTI = 10 kV/μs MIN.)
  • 入出力間絶縁耐圧が高い(BV = 5 000 Vr.m.s.)
  • ゲインばらつきが小さい(G = 7.92~8.08 V/V(±1%))
    中心ゲイン:8 V/V TYP.
  • パッケージ:8 ピン DIP の長沿面表面実装用リード・フォーミング品(L4)
  • エンボス・テーピング対応品:PS8551AL4-E3:1 000 個/リール
  • 鉛フリー対応品
  • 海外安全規格
    UL 認定品:No. E72422
    CSA 認定品:No. CA 101391 (CA5A, CAN/CSA-C22.2 60065, 60950)
    SEMKO 認定品(EN60065, EN60950)
    DIN EN60747-5-5 (VDE0884-5) 認定品(オプション対応いたします)

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 486 KB 英語
カタログ PDF 4.94 MB 英語
Product Advisory PDF 202 KB 英語
カタログ PDF 5.40 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 190 KB
カタログ PDF 5.23 MB 英語
アプリケーションノート PDF 271 KB 英語
アプリケーションノート PDF 957 KB
8 items

設計・開発

モデル