概要

説明

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. .

特長

  • Logic level operation to (–4 to –6 V Gate drive)
  • Built-in the over temperature shut-down circuit
  • High endurance capability against to the shut-down circuit
  • Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery)
  • Built-in the current limitation circuit.
  • High density mounting
  • Power supply voltage applies 12 V and 24 V.

ドキュメント

Document title Document type
分類
日付 日付
PDF 254 KB 英語 データシート
PDF 6.61 MB カタログ
PDF 2.24 MB カタログ
PDF 1.32 MB カタログ
PDF 2.65 MB 英語 アプリケーションノート
PDF 4.87 MB 英語 製品変更通知
PDF 3.82 MB 英語 製品変更通知
PDF 1.91 MB 英語 製品変更通知
8 items

設計・開発

モデル

サポート